Τεχνική προδιαγραφή περιστροφικού στόχου – Βάση υλικού και καθαρότητας ημιαγωγών: Cu, Ta, Co, Ru, W, TiN, TaN (καθαρότητα 5N–6N: 99,999%–99,9999%) Όρια ακαθαρσίας: Οξυγόνο: Nit < 20 ppm ppmΜεταλλικοί ρύποι (Fe, Ni, Cr): < 1 ppm το καθέναΕπαληθεύτηκε μέσω ICP-MS και ανάλυση σύντηξης αδρανούς αερίου ανά SEMI M11-12Δομική Σχεδιαστική Μορφή: Κυλινδρική γεωμετρία, εσωτερική διάμετρος 75–150 mm, μήκος βάθους 1200 mm Οξυγόνο-ελεύθερος χαλκός (OFC) σωλήνας, διάχυση-συγκόλληση μέσω κενού θερμής συμπίεσης Αντοχή δεσμού: > 30 MPa σε 25 μοίρες ; σταθερό υπό θερμικό κύκλο (–40 μοίρες έως 300 μοίρες) Φινίρισμα επιφάνειας: Ra μικρότερο ή ίσο με 0,2 μm. χωρίς μικρορωγμές, εγκλείσματα ή πορώδες (επαληθευμένο από SEM/EDS)
Προδιαγραφές περιστροφικού προϊόντος στόχου – Κατηγορία ημιαγωγών
Εισαγωγή Προϊόντος Ο περιστροφικός στόχος εξαιρετικά-υψηλής-καθαρότητας μας είναι ένας κυλινδρικός στόχος διασκορπισμού που έχει σχεδιαστεί για προηγμένη κατασκευή ημιαγωγών. Κατασκευασμένο από 5N–6N (99,999%–99,9999%) καθαρά μέταλλα-συμπεριλαμβανομένων Cu, Ta, Co και Ru-κάθε στόχος είναι συνδεδεμένος σε έναν επεξεργασμένο με ακρίβεια χαλκό σωλήνα υποστήριξης μέσω συγκόλλησης διάχυσης. Αυτός ο σχεδιασμός εξασφαλίζει θερμική σταθερότητα υπό{11}διασκορπισμό μαγνητρονίων DC/RF υψηλής ισχύος, επιτρέποντας συνεχείς, αδιάλειπτους κύκλους εναπόθεσης στα 7 nm και κάτω από τα λογικά και τα ρυθμιστικά μνήμης.
Βιτρίνα προϊόντων
Χαρακτηριστικά Απόδοσης
Αποδοτικότητα χρήσης: Επιτυγχάνει 75–85% χρήση υλικού-πάνω από 2 φορές υψηλότερη από τους επίπεδους στόχους (30–50%)-μειώνοντας τη σπατάλη πρώτων υλών και τη συχνότητα αντικατάστασης Ομοιομορφία εναπόθεσης: Το ομοιόμορφο προφίλ διάβρωσης σε όλη την κυλινδρική επιφάνεια εξασφαλίζει διακύμανση πάχους ±2% σε πλακίδια 300 mm, κρίσιμης σημασίας για διασυνδέσεις κάτω των 5 nm
Thermal Stability: Bond interface withstands >Θερμοκρασίες λειτουργίας 300 μοίρες. Το MTBF υπερβαίνει τις 550 kWh με εκτόξευση υψηλής ισχύος-Cu, μια βελτίωση κατά 80% σε σχέση με τους τυπικούς στόχους με σύνδεση Καθαρότητα και έλεγχος μόλυνσης: O < 0,0020%, N < 0,005%, H < 0,0001% ανά GB/T 5235-2021; πιστοποιημένο μέσω ICP-MS και ανάλυση σύντηξης αδρανούς αερίου Φινίρισμα επιφάνειας: Ra < 0,2 μm; χωρίς οξείδια, εγκλείσματα ή μικρορωγμές για την αποφυγή δημιουργίας τόξων και σωματιδίων
Πεδία Εφαρμογής
Επίπεδα διασύνδεσης: Περιστροφικός στόχος Cu και Ru για καλωδίωση δαμασκηνού σε τρανζίστορ GAA 3 nm Στρώματα φραγμού: Περιστροφικός στόχος TaN και TiN για ατομική-προσκόλληση στοιβάδων μέσω διεργασιών πλήρωσης Προηγμένη συσκευασία: Περιστροφικός στόχος CoW και NiPt για συσκευασία σε επίπεδο-βαφές- (FOWLP) Υψηλή-Μνήμη Πυκνότητας: Περιστροφικός στόχος Al και W για εναπόθεση ηλεκτροδίων στοίβας 3D NAND
Πελατοκεντρικές απαιτήσεις-
Μείωση κόστους: Χαμηλότερο κόστος στόχου ανά γκοφρέτα κατά 40–60% μέσω παρατεταμένης διάρκειας ζωής και μειωμένου χρόνου διακοπής λειτουργίας Βελτίωση απόδοσης: Ελαχιστοποιεί τα ελαττώματα που προκαλούνται από σωματίδια-<0.1/cm²) via ultra-clean processing and vacuum-sealed packaging Συμβατότητα διεργασιών: Σχεδιασμένο για RF 13,56 MHz και ισχύ συνεχούς ρεύματος 10–20 kW. συμβατό με υπάρχοντες θαλάμους PVD (Applied Materials, Lam Research) Αξιοπιστία Εφοδιαστικής Αλυσίδας: Πλήρης ιχνηλασιμότητα από την πρώτη ύλη (JX Nippon, Materion) έως την τελική επιθεώρηση. Πιστοποιημένο κατά ISO 9001/14001
Τεχνική Συμμόρφωση
Πρότυπα: ASTM B814-14, SEMI M11-12, GB/T 5235-2021 Συσκευασία: Κενό-σφραγισμένο σε αλουμίνιο-ελασματοποιημένο φιλμ με ξηραντικό. αποστέλλονται σε εμπορευματοκιβώτια-καθαρισμένα με άζωτο Πιστοποίηση: Κάθε παρτίδα περιλαμβάνει COA με ανάλυση κόκκων ICP-MS, XRF και EBSD
Ο περιστροφικός στόχος δεν είναι απλώς αναλώσιμος-είναι ένας ενεργοποιητής διαδικασίας. Μεγιστοποιώντας τη χρήση, ελαχιστοποιώντας τα ελαττώματα και επιτρέποντας τη σταθερή λειτουργία υψηλής- ισχύος, υποστηρίζει άμεσα τη μετάβαση σε κόμβους ημιαγωγών κάτω των 3 nm.
Ο περιστροφικός στόχος προσφέρει απαράμιλλη απόδοση, καθαρότητα και σταθερότητα για την κατασκευή ημιαγωγών υπό-5nm. Ο σχεδιασμός του ανταποκρίνεται άμεσα στις απαιτήσεις της βιομηχανίας για απόδοση, κόστος και συνέχεια της διαδικασίας στην παραγωγή μεγάλου όγκου.
FAQ
Ε: Θα μπορούσατε να δώσετε μια πρόβλεψη διάρκειας ζωής για τον περιστροφικό στόχο;
Α: Η διάρκεια ζωής του περιστροφικού στόχου δεν είναι μια σταθερή τιμή, αλλά μια υπολογίσιμη συνάρτηση των παραμέτρων υλικού, γεωμετρίας και διεργασίας. Με αρχικό τοίχωμα 5 mm:
Tungsten targets can last over 25,000 kWh - equivalent to >100 ημέρες συνεχούς λειτουργίας 24/7 στα 15 kW Οι στόχοι χαλκού, ενώ είναι μικρότεροι-, παραμένουν αποδοτικοί-από άποψη κόστους λόγω υψηλότερων ποσοστών εναπόθεσης και χαμηλότερου κόστους υλικών ανά γκοφρέτα Για κρίσιμες αποδόσεις-, η πρόβλεψη διάρκειας ζωής επιτρέπει τον προληπτικό προγραμματισμό αντικατάστασης, μειώνοντας τον απρογραμμάτιστο χρόνο διακοπής λειτουργίας έως και 40%.
Ε: Ποιες είναι οι κύριες εφαρμογές των περιστρεφόμενων στόχων;
Α: Οι περιστρεφόμενοι στόχοι είναι η κύρια επιλογή για διαφανή αγώγιμα φιλμ (TCO) στη βιομηχανία επίπεδων οθονών (FPD), που καλύπτουν όλες τις κύριες τεχνολογικές διαδρομές:
ITO targets: used for pixel electrodes in TFT-LCDs and anode layers in OLEDs, achieving a synergy of high transmittance (>85%) και χαμηλή αντίσταση φύλλου (<10 Ω/).
Στόχοι IGZO: χρησιμοποιείται για στρώματα ημιαγωγών οξειδίων υψηλής{{0} κινητικότητας, υποστηρίζοντας τεχνολογία LTPO για την επίτευξη χαμηλών-ρυθμών ανανέωσης συχνότητας και χαμηλής κατανάλωσης ενέργειας σε πάνελ OLED.
Στόχοι ITTO και IZO: εφαρμόζονται σε φωτοβολταϊκά κύτταρα HJT και ευέλικτες οθόνες, βελτιώνοντας την κινητικότητα του φορέα και την περιβαλλοντική σταθερότητα.
Οι περιστρεφόμενοι στόχοι είναι υλικά πυρήνα για μεταλλικές διασυνδέσεις και εναπόθεση στρώματος φραγμού σε προηγμένες διεργασίες ημιαγωγών, που χρησιμοποιούνται ευρέως για:
Στόχοι χαλκού (Cu): Εναπόθεση στρωμάτων διασύνδεσης χαμηλής-αντίστασης σε λογικά τσιπ 7nm και κάτω, αντικατάσταση παραδοσιακών διασυνδέσεων αλουμινίου και βελτίωση της ταχύτητας μετάδοσης σήματος.
Στόχοι τιτανίου (Ti), τανταλίου (Ta) και βολφραμίου (W): Χρησιμεύουν ως στρώματα φραγμού διάχυσης (όπως TiN και TaN) για να αποτρέψουν τη διάχυση ατόμων μετάλλων στο υπόστρωμα πυριτίου, διασφαλίζοντας την ηλεκτρική σταθερότητα της συσκευής.
Υψηλές απαιτήσεις καθαρότητας: Η στοχευόμενη καθαρότητα πρέπει να φτάσει τα 5N (99,999%) ή υψηλότερα, με τις ακαθαρσίες να ελέγχονται στο επίπεδο ppb για την αποφυγή βραχυκυκλωμάτων ή διαρροής πλακιδίων.
Η δομή περιστροφής αυξάνει τη χρήση του στόχου σε 75–85%, μειώνοντας σημαντικά το κόστος υλικού ανά γκοφρέτα, καθιστώντας την μια τυπική διαμόρφωση για λάμπες γκοφρέτας 12 ιντσών.
Ε: Ποια είναι η διαδικασία κατασκευής των περιστρεφόμενων στόχων;
Α: Μεταλλική Περιστροφική Διαδικασία Κατασκευής Στόχου Εφαρμόζεται σε όλκιμα μέταλλα και κράματα όπως χαλκός (Cu), τιτάνιο (Ti), μολυβδαίνιο (Mo) και νικέλιο (Ni). Η βασική διαδικασία είναι η διαμόρφωση πλαστικού + συγκόλληση:
Τήξη πρώτων υλών και χύτευση πλινθωμάτων Μέταλλα υψηλής{{0}καθαρότητας (καθαρότητα μεγαλύτερη από ή ίση με 99,95%) τήκονται σε αδρανή ατμόσφαιρα χρησιμοποιώντας τήξη επαγωγής υπό κενό ή τήξη δέσμης ηλεκτρονίων, αφαιρώντας τις αέριες ακαθαρσίες (O, N, H<1 ppm).
Στη συνέχεια, το πλινθίο διαμορφώνεται σε ένα ομοιόμορφο κιονοειδές κάλυμμα με ηλεκτρομαγνητική συνεχή χύτευση, με μέγεθος κόκκου ελεγχόμενο στα 50-100 μm.
Πλαστική Μορφοποίηση Θερμή έλαση/Ψυχρή έλαση: Το πλινθίο τυλίγεται σε παχιά πλάκα (75–80 mm) για την εξάλειψη των ελαττωμάτων χύτευσης.
Ανόπτηση ανακρυστάλλωσης: Οι στόχοι χαλκού ανόπτονται στους 450–550 βαθμούς για 1–2 ώρες και οι στόχοι τιτανίου ανόπτονται στους 600–700 βαθμούς για να επιτευχθεί αναδιάταξη των κόκκων και να βελτιωθεί η ολκιμότητα.
Κάμψη και συγκόλληση με άκρο: Η λαμαρίνα κάμπτεται σε σχήμα δακτυλίου και τα δύο άκρα συγκολλώνται-με τη χρήση συγκόλλησης με δέσμη ηλεκτρονίων υπό κενό ή με συγκόλληση με λέιζερ για να σχηματιστεί ένα τεμάχιο σωλήνα χωρίς ραφή.
Συγκόλληση πίσω πλάκας: Ως πίσω πλάκα χρησιμοποιούνται σωλήνες από χαλκό{0} υψηλής καθαρότητας ή από ανοξείδωτο χάλυβα. Η αγωγιμότητα της θερμότητας και η μηχανική στερέωση επιτυγχάνονται με τις ακόλουθες μεθόδους:
Συγκόλληση διάχυσης: Σε περιβάλλον κενού 800 μοιρών, το υλικό-στόχος και η πίσω πλάκα σχηματίζουν ένα στρώμα IMC (διαμεταλλική ένωση) με πάχος<5 μm.
Indium-based Solder Bonding: Indium solder with a purity >99.9% and a pull strength >Χρησιμοποιείται 50 MPa, κατάλληλο για-στόχους μεγάλου μεγέθους.
After bonding, X-ray inspection is required to ensure the absence of porosity and cracks, and a weld ratio >95%.
Λεπτή κατεργασία και επιθεώρηση: Ανοχή εξωτερικής διαμέτρου μικρότερη από ή ίση με ±0,05 mm, εσωτερική διάμετρος και διάκενο προσαρμογής πίσω πλάκας<0.1 mm.
Τραχύτητα επιφάνειας Ra Μικρότερη ή ίση με 0,8 μm, πλάτος περιστροφικής δόνησης ελεγχόμενη σε<0.1 mm through dynamic balance correction.
Η αντοχή συγκόλλησης δοκιμάστηκε σύμφωνα με το πρότυπο GB/T 39163-2020, με μέγεθος κόκκου μικρότερο ή ίσο με 50 μm και πυκνότητα μεγαλύτερη ή ίση με 99%.
